AT410 臺式熱原子層沉積
描述
AT410 工具是市場上具成本效益的原子層沉積系統。半導體級組件和金屬密封管線以及快速脈沖閥使研發機構能夠快速訪問高質量的 ALD 薄膜，以快速篩選概念。 該工具擁有達到或超過市場上其他工具的功能，而成本只是其中的一小部分。
技術特點
直徑高達 4“ 的樣品架（可定制以容納小零件、不尋常的形狀）
可變過程壓力控制 0.1 至 1.5 TORR
多達 5 種前驅體 - 標準
樣品上游的所有金屬密封系統
7“ 觸摸屏 PLC 控制系統
以規定的劑量量精確地計量母離子
室溫從室溫到300°C±1°C;
前驅體溫度從室溫到 150 °C ± 2 °C（帶加熱夾套）
市場上占地面積很小（2.5 平方英尺），臺式安裝和潔凈室兼容
系統維護簡單，公用設施和前驅體使用率很低
流線型腔室設計和小腔室體積
提供快速循環能力（高達 1.2nm/min Al2O3）和高曝光、深度穿透處理
全硬件和軟件聯鎖，即使在多用戶環境中也能安全運行
該工具可以沉積各種熱原子層沉積材料
其他
系統出廠時預裝了多個標準配方，控制器中預裝了幾個標準配方
在購買討論期間待定的確切配方組合
為所有系統材料和用戶定義的設備要求提供工藝開發支持
應用領域
原子層沉積技術由于其沉積參數的高度可控型（厚度，成份和結構），優異的沉積均勻性和*性使得其在微納電子和納米材料等領域具有廣泛的應用潛力。該技術應用的主要領域包括：
1） 晶體管柵極介電層（high-k）和金屬柵電極（metal gate）
2） 微電子機械系統（MEMS）
3） 光電子材料和器件
4） 集成電路互連線擴散阻擋層
5） 平板顯示器（有機光發射二極管材料，OLED）
6） 互連線勢壘層
7） 互連線銅電鍍沉積籽晶層（Seed layer）
8） DRAM、MRAM介電層
9） 嵌入式電容
10） 電磁記錄磁頭
11） 各類薄膜（<100nm）
